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795nm/895nm高功率單模VCSEL激光芯片

垂直腔面發(fā)射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser），簡(jiǎn)稱VCSEL,是一種半導(dǎo)體激光器，其激光垂直于頂面射出。Vcsel激光器結(jié)構(gòu)由P型，N型布拉格發(fā)射器，有源區(qū)由量子肼組成。

上海昊量光電設(shè)備有限公司推出高功率（1mw)、窄線寬、單模、高偏振對(duì)比度的795nm/895nmVcsel激光芯片。該產(chǎn)品性能穩(wěn)定，廣泛應(yīng)用于原子磁力計(jì)、磁強(qiáng)計(jì)、陀螺儀、原子鐘等領(lǐng)域。

美國Vixar是ams OSRAM的子公司，為傳感器和設(shè)備應(yīng)用制造VCSEL芯片。 Vixar建立了生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施和供應(yīng)鏈，提供大批量生產(chǎn)。美國VIXAR公司生產(chǎn)的795nm，895nm垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）芯片可以實(shí)現(xiàn)單模輸出（TEM00），線寬非常窄（<70MHz, +/-0.5nm），適用于銣原子鐘，銫原子鐘，頻率標(biāo)準(zhǔn)，磁力儀等方向。

795nm/895nm高功率單模VCSEL激光芯片特點(diǎn) ：

裸芯片
工藝: GaAs 垂直腔面發(fā)射激光器
波長: 894.6 nm、795nm
模式: 單模
功率：≥1mw
偏振對(duì)比度：25dB

795nm/895nm 高功率單模VCSEL激光芯片產(chǎn)品參數(shù)：

PARAMETER	MIN	TYP	MAX	TEST CONITIONS
Emission Wavelength(nm)		794.98
Chip Temperature(℃)	30		90	adjusted by TEC
Threshold Current (mA)		0.8	1.2
Threshold Voltage(V)		1.8
Output Power (mW)	1	1.2	1.5	@3.5mA
Operating Voltage(V)		2.3
wavelength tuningOver Current (nm/mA)		0.3
Side Mode Suppression (dB)		25	30	@3mA
polarization extinction ratio (dB)		20	25	@3mA
beam divergence (°)	10		25	1/e2
Spectral Bandwidth (MHz)		70		Unmodulated

795nm/895nm 高功率單模VCSEL激光芯片產(chǎn)品應(yīng)用：

磁力計(jì)/磁強(qiáng)計(jì)
原子鐘
陀螺儀
心磁圖儀

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795nm/895nm高功率單模VCSEL激光芯片

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